TH510系列半导体特性分析仪是常州同惠电子根据当前半导体功率器件发展趋势，针对半导体材料及功率器件设计的分析仪器。

仪器采用了一体化集成设计，二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体功率器件寄生电容、CV特性可一键测试，无需频繁切换接线及设置参数，单管功率器件及模组功率器件均可一键快速测试，适用于生产线快速测试、自动化集成。

CV曲线扫描分析能力亦能满足实验室对半导体材料及功率器件的研发及分析。

仪器设计频率为1kHz-2MHz，VGS电压可达±40V，VDS电压可达±200V/±1500V/±3000V，足以满足大多数功率器件测试。

TH510系列半导体特性分析仪性能特点：

l  一体化设计：LCR+VGS低压源＋VDS高压源＋通道切换＋上位机软件

l  单管器件（点测）、模组器件（列表扫描）、曲线扫描（选 件）三种测试方式

l  四寄生参数（Ciss、Coss、Crss、Rg或Cies、Coes、Cres、 Rg）同屏一键测量及显示

l  标配2通道，可扩展至6通道，可测单管、多芯或模组器件

l  CV曲线扫描、Ciss-Rg曲线扫描

l  电容快速充电技术，实现快速测试

l  接触检査Cont

l  通断测试OP_SH

l  自动延时设置

l  栅极电压VGS;0 - 土40V

l  漏极电压VDS;0 -±200V

l  10档分选

功能特点：

A.一体化测试，集成度高、体积小、效率高

一台仪器内置了LCR数字电桥、VGS电压源、VDS电压源、高低压切换矩阵以及上位机软件，将复杂的接线、繁琐的操作集成在支持电容式触摸的Linux系统内，操作更简单。特别适合产线快速化、自动化测试。

B.单管器件测试，10.1寸大屏，四种寄生参数同屏显示，让细节一览无遗

MOSFET或IGBT最重要的四个寄生参数：Ciss、Coss、Crss、Rg，Cies、Coes、Cres、Rg均可一键测试，10.1寸大屏可同时将测量结果、等效电路图、分选结果等重要参数同时显示，一目了然。

一键测试单管器件器件时，无需频繁切换测试脚位、测量参数、测量结果，大大提高了测试效率。

C.列表测试，多个、多芯、模组器件测量参数同屏显示

TH510系列半导体C-V特性分析仪支持最多6个单管器件、6芯器件或6模组器件测试，所有测量参数通过列表扫描模式同时显示测试结果及判断结果。

D.曲线扫描功能（选件）

在MOSFET的参数中，CV特性曲线也是一个非常重要的指标，如下图

TH510系列半导体C-V特性分析仪支持C-V特性曲线分析，可以以对数、线性两种方式实现曲线扫描，可同时显示多条曲线：同一参数、不同Vg的多条曲线；同一Vg、不同参数多条曲线。

E.接触检查（Contact）功能，提前排除自动化测试隐患

F.快速通断测试（OP_SH）,排除损坏器件

在半导体器件特性测试时，由于半器件本身是损坏件，特别是多芯器件其中一个芯已经损坏的情况下，测试杂散电容仍有可能被为合格，而半导体器件的导通特性才是最重要的特性。

因此，对于本身导通特性不良的产品进行C-V特性测试是没有必要的，不仅仅浪费了测量时间，同时会由于C-V合格而混杂在良品里，导致成品出货后被退回带来损失.

TH510系列半导体C-V特性分析仪提供了快速通断测试（OP_SH）功能,可用于直接判断器件本身导通性能。

G.模组式器件设置，支持定制

针对模组式器件如双路（Dual）MOSFET、多组式IGBT，有些器件会有不同类型芯片混合式封装;TH510系列CV特性分析仪针对此情况做了优化，常见模组式芯片Demo已内置，特殊芯片支持定制.

H.简单快捷设置

I.10档分选及可编程HANDLER接口

J.支持定制化，智能固件升级方式

同惠仪器对于客户而言是开放的，仪器所有接口、指令集均为开放设计，客户可自行编程集成或进行功能定制，定制功能若无硬件更改，可直接通过固件升级方式更新。

仪器本身功能完善、BUG解决、功能升级等，都可以通过升级固件(Firmware)来进行更新，而无需返厂进行。

固件升级非常智能，可以通过系统设置界面或者文件管理界面进行，智能搜索仪器内存、外接优盘甚至是局域网内升级包，并自动进行升级

K.解决Ciss、Coss、Crss、Rg产线/自动化系统高速测试精度

同惠电子在电容测试行业近30年的经验积累，得以在产线、自动化测试等高速高精度测试场合，都能保证电容、电阻等测试精度。

常规产线测试，提供标准0米测试夹具，直插器件可直接插入进行测试，Ciss、Coss、Crss、Rg测试精度高。

针对自动化测试，由于自动化设备测试工装通常需要较长连接线，大多自动化设备生产商在延长测试线时会带来很大的精度偏差，为此，同惠设计了2米延长线并内置了2米校准，保证Ciss、Coss、Crss、Rg测试精度和0米测试夹具一致。

L.半导体元件寄生电容知识

在高频电路中，半导体器件的寄生电容往往会影响半导体的动态特性，所以在设计半导体元件时需要考虑下列因数

在高频电路设计中往往需要考虑二极管结电容带来的影响；MOS管的寄生电容会影响管子的动作时间、驱动能力和开关损耗等多方面特性；寄生电容的电压依赖性在电路设计中也是至关重要，以MOSFET为例。

M.标配附件

产品应用：

■ 半导体元件/功率元件

二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光

电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析

■ 半导体材料

晶圆切割、C-V特性分析

■ 液晶材料

弹性常数分析

■电容元件

电容器C-V特性测试及分析，电容式传感器测试分析

同惠授权代理商：9001cc金沙登录

我们的优势：同惠、是德、泰克、日置、固纬、海思、安柏、艾德克斯、普源等

技术参数：